Winbond Electronics начнет производить чипы памяти на основе 3-нм техпроцесса

21 октября, Тайбэй. Тайванская компания Winbond Electronics, производящая микросхемы оперативной памяти (DRAM), в последней четверти текущего года приступит к серийному изготовлению чипов путем применения технологического процесса 3-нм. Об этом сообщило китайское издание Commercial Times со ссылкой на заявление Тун-йи Чена, главы Winbond Electronics.

Никаких дополнительных подробностей о технологии производства президент компании не рассказал, сообщив лишь, что компания уже готова применить техпроцесс 3-нм для серийного выпуска чипов памяти.

Тун-йи Чен также рассказал, что заказы Winbond Electronics на 4 квартал текущего года, учитывая производственные возможности компании, достигли максимума. В настоящее время проводится завершающий этап работ по монтажу оборудования на новой производственной площадке Fab C, на которой с первого квартала 2017 года будут производиться кремниевые платины. По замыслу компании, доходов от продаж продукции завода можно ожидать уже во второй половине года.

По словам президента Winbond Electronics, в настоящее время, производство чипов памяти для промышленного и автомобильного оборудования приносит компании порядка 16 процентов прибыли, отметив, что спрос на этот вид продукции продолжает расти.

Согласно отчетам компании, с января по сентябрь этого года Winbond Electronics удалось совершить сделок по продажам своей продукции на общую сумму в 31,3 миллиардов тайванских долларов, что практически равно 1 миллиарду долларов США. Эта цифра превышает прошлогодний показатель за те же месяцы на 10 процентов.